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物理性质
族：ⅣA族
周期：3
元素分区：p区
密度：2328.3kg/m³
常见化合价：4
硬度：6.5
地壳含量：25.70%
弹性模量：190GPa（有些文献中为这个值）
密度：2.33g/cm³（18℃）
熔点：1687K（1414℃）
沸点：3173K（2900℃）
摩尔体积：12.06×10⁻⁶m³/mol
汽化热：384.22kJ/mol
熔化热：50.55kJ/mol
蒸气压：4.77Pa（1683K）
间接带隙：1.1eV（室温）
电导率：2.52×10⁻⁴/（米欧姆）
电负性：1.90（鲍林标度）
比热：700J/（kg·K）
化学性质
硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序数为Z=14，核外有14个电子。电子在原子核外，按能级由低硅原子到高，由里到外，层层环绕，这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。
加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用，也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中，可溶于碱溶液中，并有氢气放出，形成相应的碱金属硅酸盐溶液，于赤热温度下，与水蒸气能发生作用。
原子属性：
原子量：28.0855u；
原子核亏损质量：0.1455u；
原子半径：（计算值）110（111）pm；
共价半径：111pm；
范德华半径：210pm；
外围电子层排布：3s²3p²；引
电子在每个能级的排布：2，8，4；
电子层：KLM；
氧化性（氧化物）：4（两性的）。
硅的用途
（1）高纯的单晶硅是重要的半导体材料。
（2）金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。
（3）光导纤维通信，最新的现代通信手段。
（4）性能优异的硅有机化合物。
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